特殊來源

特殊來源

Veeco 可提供最全面的分子束磊晶技術 (MBE) 來源選擇,包括單燈絲及雙燈絲設計。

可回收來源

Veeco 的可回收來源可因應 MBE 的根本限制,包括來源容量、維護時的來源移除以及系統正常運作時間。

氫原子來源

氫原子來源這樣的純耐火金屬來源是專為在攝氏 1800° 到攝氏 2200° 溫度下進行作業所設計,可與大多數準備室和生長室相容。

抗氧來源

利用 Veeco 的抗氧且延長生命的來源,實現中溫及局部壓力環境下的精密分子束磊晶 (MBE) 作業。

用於氧氣、氮氣及氫氣的 UNI-Bulb RF 電漿來源

透過 Uni-Bulb RF 電漿來源,實現電子及光電材料的 GaN 生長最佳條件,以及無可比擬的電漿穩定性及可複製性。

氣體裂解器

Veeco 的氣體裂解器擁有獨特的功能,可優化通量的均勻性,提供氣體的高效能 UHV 傳送。

低溫氣體來源

利用 Veeco 的低溫氣體來源,實現分子束磊晶 (MBE) 系統的來源氣體 (例如 CBr4 和 NH3) 低成本引入。