有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統

有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統

電力電子專用的 Propel Power GaN MOCVD 系統

電力電子專用的 Propel Power GaN MOCVD 系統

單晶圓反應器技術可實現以 GaN 為基礎的高效率電力裝置

Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系統是專為電力電子產業所設計。此系統採用單晶圓反應器平台,能夠處理六英寸與八英寸晶圓,可鍍出高品質的 GaN 薄膜,足以應付高效率電力電子裝置的生產。此種單晶圓反應器是以 Veeco 的尖端 TurboDisc® 設計為基礎,搭配突破性的技術,包括全新 IsoFlange™ 與 SymmHeat™ 兩種技術,可讓同質的層流以及分布均勻的溫度通過整個晶圓。客戶可以輕易地將製程從 Veeco K465i™ 與 MaxBright™ 系統轉移至 Propel Power GaN MOCVD 平台。

  • 出色的薄膜均勻性、產量和裝置效能
  • 以生產活動長和微粒瑕疵低為特色,可提供出色的產量與彈性
  • 快速的學習週期加快 GaN-on-Si 研發轉移至高產量製造的速度
  • 組態設定、操作和維護都很容易的模組化設計

 

請按此處存取有關如何在 200mm (8”) 矽基材的 Veeco® Propel® TurboDisc® MOCVD 工具中增加 GaN HEMT 結構的基本製程資訊。  此資訊並非設計、意圖、建議或授權用於任何類型的商業系統或應用。

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